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研究方向：GaN晶体管的器件物理及可靠性研究，主要研究内容内容为GaN器件电流坍塌及阈值不稳定性等物理机理研究。
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  • 深能级瞬态谱在氮化镓器件可靠性中的应用

    深能级瞬态谱在氮化镓器件可靠性中的应用

    时间：2023年05月24日 09:55 领域：材料 深能级瞬态谱在氮化镓器件可靠性中的应用背景
    基于恒定电容型DLTS对界面态的研究
    基于电容型DLTS对阈值漂移的研究
    基于电流型DLTS对电流坍塌的研究
    基于等温俘获瞬态的介质/界面缺陷研究


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