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　　北京大学教授级高工，国家优秀青年科学基金获得者。北京大学博士，东京大学博士后。近年来主要围绕Si衬底上GaN基功率电子材料和器件开展研究工作，在Si衬底上GaN厚膜及其异质结构的MOCVD外延生长、C杂质相关缺陷研究等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文100余篇，包括以第一作者/通讯作者在Phys. Rev. Lett., Adv. Funct. Mater., Appl. Phys. Lett.等期刊上发表SCI论文30余篇。在本领域国内外学术会议上做邀请报告近20次，申请/授权国家发明专利13件。主持国家自然科学基金委优青项目、国家重点研发课题等10余项科研项目，担任Physica Status Solidi杂志客座编辑，Crystal杂志客座编辑。

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GaN基材料外延生长及C杂质相关缺陷检测技术
时间：2022年10月25日 08:45 领域：材料 > Motivation
> Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates
> The lattice location of C impurity in GaN
>Summary

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