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课程简介

　　1、研究背景:宽禁带氧化镓半导体

　　2、X射线光电子能谱技术

　　3、研究进展

　　3.1 氧化镓薄膜外延外延与掺杂机制

　　3.2 氧化镓外延薄膜表界面电子结构

　　3.3 宽禁带p-型氧化物半导体的开发

　　4、总结与展望

讲师介绍(排名不分先后)

: 张洪良

厦门大学化学化工学院教授

2003年本科毕业于山东大学信息学院光信息科学与工程专业， 2008年获得新加坡国立大学凝聚态物理专业硕士(2008)，2012年获得英国牛津大学无机化学博士学位。研究方向为超宽禁带半导体薄膜外延，能带调控及光电器件。迄今已在Nature Electronics、Nat. Commun.、Phys. Rev. Lett.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Mater.等期刊发表论文150余篇，申请专利15项，出版著作(专译著)1部。主持及参与国家重点研发计划课题、国家自然科学基金委基金、企业合作研发等项目8项。曾获国家高层次人才“青年项目”、剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship、中国台湾积体电路制造公司(TSMC)最佳国际研究生科研奖。

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