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课程简介

　　GaN尤其的特性使其具有广泛的应用前景，包括射频、蓝光及功率器件等。由于工艺不成熟，GaN器件还有位错密度低、掺杂浓度低等问题，这直接会影响其服役时间和性能表现，因此需要对其缺陷及元素进行深入研究。本报告将主要介绍EDS和EBSD的最新发展，及他们在GaN中的应用。

讲师介绍(排名不分先后)

: 马岚

牛津仪器纳米分析部应用科学家

2012年获得上海交通大学材料科学与工程学院博士学位，博士研究镁合金的时效强化机制及变形机制，主要利用TEM、SEM、EBSD等手段进行表征。2012-2015年间在日本物质材料研究所进行博后工作，期间研究的课题为高强韧镁合金的开发及磁性材料微结构表征，利用HAADF-STEM、SEM、EBSD及3DAP进行材料表征，熟悉掌握FIB及纳米操作手。2015年回国加入牛津仪器公司，主要负责能谱、EBSD、OP的推广及技术支持。

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